Nano-osciladores de torque de spin (stnos) são dispositivos baseados no fenômeno de transferência de torque de spin (stt), que consiste na transferência de momento para magnetização local de camadas magnéticas, a partir de uma corrente elétrica polarizada em spin. a geometria de nanopilar tem sido amplamente utilizada para estudos de stt, devido à sua pequena dimensão lateral e possibilidade de utilização da dimensão vertical para o transporte de elétrons. normalmente, o processo de fabricação de nanopilares envolve litografia por feixe de elétrons e corrosão por ion milling, que gera redeposição do material ejetado da superfície da amostra e efeito de sombra devido ao ângulo de incidência do feixe de íons. neste trabalho foram fabricados e caracterizados stnos, com o uso de máscaras duras (md) de tiw. primeiramente, foram estabelecidas condições de corrosão por rie para o tiw, que proporcionaram obter máscaras duras com bom perfil lateral e sem irregularidades na camada de referência para parar a corrosão (stop layer). as máscaras foram então incorporadas ao processo de fabricação dos stnos, sendo fabricados dispositivos com dimensão lateral de 50 a 250 nm. as propriedades estruturais, estáticas e dinâmicas foram investigadas para os diferentes tamanhos. foi possível obter razões de magnetorresistência túnel (tmr) superiores a 100%, com produto resistência x área (ra) entre 2,3 e 4 ?.?m². não foram observados padrões de redeposição nas medidas de tmr vs. ra ou nas imagens de stem com perspectiva lateral dos nanopilares. foi observada uma dependência da tmr e ra com o tamanho dos dispositivos, que foi relacionada a defeitos na estrutura cristalina do mgo, possivelmente causado pela difusão de boro e ou oxigênio. defeitos na rede cristalina podem dificultar o tunelamento coerente dos elétrons, prejudicando a tmr e reduzindo a ra. a partir de micrografias de hrtem, foi possível identificar a camada cristalina de mgo, mas não foi possível determinar a distância interplanar e o consequente plano cristalino. as geometrias circular de 150nm de diâmetro e a elíptica de dimensão 100 x 250 nm, foram as que melhor apresentaram emissão de sinal rf, com um único pico bem definido de emissão. a potência de emissão obtida foi na ordem de 23 nw e foi possível atingir valores de largura do pico a meia altura de 54 mhz. os dispositivos também indicaram ter altos valores de tensão de ruptura de barreira (> 0,8 v).