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Universidade Federal de Santa catarina (UFSC)
Programa de Pós-graduação em Engenharia, Gestão e Mídia do Conhecimento (PPGEGC)
Detalhes do Documento Analisado

Centro: Não Informado

Departamento: Não Informado

Dimensão Institucional: Pós-Graduação

Dimensão ODS: Econômica

Tipo do Documento: Tese

Título: CONTRIBUIÇÃO À ANÁLISE DE CAMPOS ELETROMAGNÉTICOS EM DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS ATRAVÉS DE MODELAGEM E SIMULAÇÃO NUMÉRICA DE PARÂMETROS DE CIRCUITOS ELÉTRICOS

Orientador
  • ADROALDO RAIZER
Aluno
  • DIEGO DE MOURA

Conteúdo

O presente trabalho tem como objetivo, desenvolver um modelo a partir de parâmetros de circuitos elétricos, que proporcione determinar os campos elétricos ( ¿ ) emitidos por dispositivos eletrônicos. para tanto, foram desenvolvidas duas metodologias capazes de atender os objetivos propostos. na primeira metodologia, os parâmetros elétricos do circuitos integrados são obtidos através dos modelos ibis, e os parâmetros r, l, c das trilhas são extraídos utilizando software baseado no método dos momentos. já, na segunda metodologia, os parâmetros elétricos dos ci´s e trilhas são obtidos através das conversão dos valores dos parâmetros s para valores de impedância, e teoria do comportamento não ideal de componentes na frequência. para ambas as metodologias, o modelo da comutação interna dos circuitos integrados é considerada, e um circuito elétrico é obtido. a partir dos circuitos elétricos obtidos, simulações dos sinais de no domínio do tempo e da frequência são realizadas através da transformada de fourier. os valores dos campos elétricos ( ¿ ) gerados pelos dispositivos eletrônicos são calculados através das harmônicas resultantes da análise de fourier, em software baseado no método dos elementos finitos, onde um plano de teste é instituído para calcular os valores dos campos. no intento de validar as metodologias desenvolvidas, as mesmas foram aplicadas para dispositivos eletrônicos com características de fontes emissoras, e medidas foram realizadas através de um osciloscópio digital, ponteira de campo próximo, célula transverso eletromagnética (gtem) e receptor de campos. comparando os resultados obtidos através das simulações e medidas, foi possível verificar uma similaridade entre os valores dos campos elétricos emitidos pelos dispositivos eletrônicos, comprovando a eficácia das metodologias propostas.

Índice de Shannon: 3.93708

Índice de Gini: 0.931244

ODS 1 ODS 2 ODS 3 ODS 4 ODS 5 ODS 6 ODS 7 ODS 8 ODS 9 ODS 10 ODS 11 ODS 12 ODS 13 ODS 14 ODS 15 ODS 16
4,69% 4,73% 5,88% 6,03% 5,66% 5,10% 8,29% 6,50% 12,45% 4,39% 7,49% 5,82% 4,79% 5,45% 4,73% 7,98%
ODS Predominates
ODS 9
ODS 1

4,69%

ODS 2

4,73%

ODS 3

5,88%

ODS 4

6,03%

ODS 5

5,66%

ODS 6

5,10%

ODS 7

8,29%

ODS 8

6,50%

ODS 9

12,45%

ODS 10

4,39%

ODS 11

7,49%

ODS 12

5,82%

ODS 13

4,79%

ODS 14

5,45%

ODS 15

4,73%

ODS 16

7,98%