Seleneto de bismuto (bi2se3) é um semicondutor que apresenta duas fases cristalinas distintas, com valor distinto de gap de energia e propriedades óticas, termoelétricas e topológicas de grande interesse. neste trabalho, filmes foram crescidos através da técnica de eletrodeposição sobre substrato de silício (100). o estudo foi dividido em duas etapas, uma tratava da estrutura e morfologia dos filmes depositados e a outra da dopagem dos filmes. na primeira etapa é visto que fazendo uso de um conjunto adequado de parâmetros de deposição obtêm-se filmes de aspecto compacto, uniforme e pouco rugoso, altamente desejável para futuras aplicações em dispositivos. a caracterização estrutural dos filmes indica a presença majoritária da fase ortorrômbica com traços da fase romboédrica e fases amorfas. a completa recristalização para a fase romboédrica pode ser obtida utilizando tratamentos térmicos curtos e sem necessidade de altas temperaturas. na segunda etapa é mostrado que em filmes de bi2se3 dopados com cobre, o cobre atua como átomo substituicional na rede. para baixas concentrações de cobre os filmes mantém as mesmas características estruturais e morfológicas de filmes não dopados. caracterizações elétricas mostraram que os filmes dopados com cobre tratados termicamente apresentam menor resistividade elétrica e maior mobilidade de portadores quando comparados com filmes não dopados. medidas de fotocorrente mostram altos valores de fotorresposta e sugerem baixa presença de centros de aprisionamento de portadores para todos filmes depositados com e sem cobre.