A compreensão dos efeitos de interface na eficiência de dispositivos orgânicos emissores de luz consiste em uma regra vital para a produção de dispositivos altamente eficientes. as propriedades fotofísicas de uma molécula excitada podem ser fortemente influenciadas pelas interfaces metálicas e dielétricas. o presente trabalho apresenta propostas para investigar os efeitos de interface sobre as propriedades óticas de uma camada fina de prova (7nm ou 40nm) baseada em um complexo de térbio inédito, o tb(acac)3tdzp ou simplesmente tb-c, próximo das interfaces metal/tb-c e ito /tb-c variando a distância das camadas espaçadoras de alq3 e npb, respectivamente. em particular, estamos interessados nos efeitos da camada metálica de alumínio (al) sobre as propriedades fotofísicas do tb-c variando sua distância da interface metálica através da camada espaçadora de alq3. os resultados demonstraram que a interface metálica aumenta a emissão do tb-c, na qual é fortemente dependente da espessura da camada separadora. o fenômeno de interferência e os mecanismos de interações intermoleculares são os principais efeitos de interface responsáveis pelo aumento observado. a interface metálica induz uma pequena modulação no tempo de vida do tb-c. os processos de aniquilação t-t em regime de altas concentrações dos estados excitados afetam consideravelmente o tempo de vida do complexo. finalmente, um modelo teórico foi desenvolvido para explicar os efeitos observados. por fim, foram fabricados e caracterizados oleds contendo uma estrutura multicamada convencional, onde os filmes finos foram processados em solução. a camada emissora é composta por: um complexo de eu emissor misturado com uma blenda de cbp:pbd. para obter o equilíbrio dos portadores de cargas dentro do dispositivo, a taxa de concentração do complexo e da blenda foi ajustada, além de utilizar três materiais transportadores de buracos distintos: o pvk, o poly-tpd e o ut314. o espectro de eletroluminescência do oled com pvk apresenta uma emissão característica do eu(iii) e opera em alta tensão. obteve-se uma redução considerável da tensão utilizando poly-tpd como camada transportadora de buracos. entretanto, no espectro de el observar-se uma banda larga sobreposta a linha de emissão hipersensível (612nm) do eu(iii), devido à formação do éxciton na interface. no dispositivo com ut314 pode-se notar uma emissão vermelha como uma banda bem definida em 612 nm a 2,5 v e com eficiência de corrente de 1,91 cd / a. contudo, sob alta tensão foi observada uma emissão branco.