Neste trabalho foi realizado um estudo sistemático sobre a eletrodeposição do composto seleneto de bismuto (bi2se3) em substrato de si(100). em paralelo, foram realizados cálculos de primeiros princípios com o objetivo de encontrar as energias de formação e de transição para diferentes defeitos pontuais existentes em bi2se3. o trabalho foi dividido em duas partes, a primeira com resultados experimentais e a segunda com resultados teóricos. na primeira parte é mostrado que as amostras obtidas com eletrodeposição em si(100) apresentam majoritariamente a fase cristalina ortorrômbica. o crescimento dos filmes finos sobre substrato de si(100) ocorre em duas etapas de nucleação, onde a segunda etapa gera filmes finos cristalinos e com crescimento preferencial dos planos (020). o gap de energia obtido para a fase ortorrômbica do bi2se3 foi 1,25 ev, que é maior que os valores previstos teoricamente. filmes de bi2se3 puramente na fase hexagonal foram obtidos através de tratamentos térmicos. foi mostrado que há um forte alinhamento do eixo basal da estrutura cristalina hexagonal com o eixo perpendicular ao plano do substrato. amostras obtidas em diferentes substratos indicam que o crescimento não é epitaxial. a caracterização elétrica indica um comportamento condutivo ativado termicamente para as amostras de bi2se3 na fase ortorrômbica e comportamento elétrico degenerado para amostras em fase hexagonal. os valores medidos de resistividade elétrica e coeficiente seebeck estão de acordo com valores prévios relatados e confirmam a qualidade das amostras eletrodepositadas. na segunda parte do trabalho foram realizados cálculos teóricos com dft, que mostram que os defeitos mais estáveis na fase hexagonal do bi2se3 são as vacâncias de se1 e os bi intersticiais. para a fase ortorrômbica os mais estáveis são as vacâncias de se e os antisítios de bi e de se, explicando o comportamento elétrico tipo-n.