Os memristores são dispositivos de estado sólido onde a resistividade elétrica pode ser comutada pela aplicação de tensão externa, mantendo o valor da resistividade sem consumo de energia. estados inalterados ao longo do tempo podem ser usadas como dispositivo de armazenamento de dados. a descrição teórica desse componente foi apresentada em 1970, e em 2008 o efeito da chaveamento resistivo (rs) foi observado em laboratório. atualmente, várias empresas e equipes de pesquisa estão trabalhando para desenvolver esses dispositivos para aplicações comerciais, da computação neuromórfica às memórias não voláteis. neste trabalho, investigamos as propriedades elétricas associadas ao efeito (rs) em filmes finos eletrodepositados de azul da prússia (pb) e branco da prússia (pw). as medidas elétricas foram feitas em condições ambientais e usando o método de medida com 2 eletrodos. as amostras foram crescidas em substrato de si recoberto por au e projetadas na estrutura do tipo capacitor. como resultado geral, o comportamento do rs é observado nas curvas i-v, com potenciais de chaveamento muito bem estabelecidos. são sugeridos também, quais mecanismos causam o efeito de alterar a resistividade. os filmes pb apresentaram efeito rs com uma razão entre os estados de alta resistividade e baixa resistividade (hrs/lrs) de duas ordens de magnitude. nos testes de fadiga, o efeito se manteve, sugerindo boa estabilidade e não volatilidade. até esse o momento este material ainda não foi associado na literatura ao efeito rs, nesse sentido, este trabalho é pioneiro.